Tecnologia DRAM più avanzata al mondo con 1 nodo beta da Micron

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La tecnologia di processo di ultima generazione è alla base di LPDDR5X, ora in campionamento per l’ecosistema mobile

BOISE – Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), ha annunciato oggi la spedizione di campioni di qualificazione della sua tecnologia DRAM 1β (1-beta) a selezionati produttori di smartphone e partner di chipset e di aver raggiunto la disponibilità alla produzione di massa con il nodo tecnologico DRAM più avanzato al mondo. L’azienda presenta la tecnologia di processo di nuova generazione per la sua memoria mobile a basso consumo a doppia velocità di trasferimento dati 5X (LPDDR5X) in grado di offrire velocità massime di 8,5 gigabit (Gb) al secondo. Il nodo offre guadagni significativi in termini di prestazioni, densità di bit, efficienza energetica, con vantaggi di mercato di vasta portata. Oltre alla telefonia mobile, 1β offre DRAM a bassa latenza, basso consumo e alte prestazioni, essenziali per supportare applicazioni altamente reattive, servizi in tempo reale, personalizzazione e contestualizzazione delle esperienze, dai veicoli intelligenti ai data center.

La process node DRAM più avanzata al mondo, la 1β, rappresenta un avanzamento della leadership di mercato dell’azienda consolidata dall’immissione sul mercato della 1α (1-alpha) nel 2021. Il nodo offre un miglioramento dell’efficienza energetica di circa il 15% e un miglioramento della densità di bit di oltre il 35%(1) con una capacità di 16 Gb per matrice.

“Il lancio della nostra DRAM 1-beta segna un ulteriore balzo in avanti nell’innovazione delle memorie, grazie alla nostra litografia proprietaria multi-pattern in combinazione con una tecnologia di processo di ultima generazione e capacità di materiali avanzati”, ha dichiarato Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo tecnologia e prodotti di Micron. “Fornendo la tecnologia DRAM più avanzata al mondo con un numero di bit per wafer di memoria mai raggiunto prima, questo nodo pone le basi per inaugurare una nuova generazione di tecnologie ricche di dati, intelligenti ed efficienti dal punto di vista energetico, dall’edge al cloud”.

Questa pietra miliare segue rapidamente il lancio da parte di Micron della prima NAND a 232 strati al mondo nel mese di luglio, progettata per ottenere prestazioni e densità areale per l’archiviazione senza precedenti. Con questi nuovi primati, Micron continua a dettare il ritmo del mercato per quanto riguarda le innovazioni nel campo della memoria e dell’archiviazione, entrambe rese possibili dalle profonde radici dell’azienda nella ricerca e nello sviluppo all’avanguardia e nella tecnologia dei processi produttivi.

Con la campionatura di LPDDR5X, l’ecosistema mobile sarà il primo a raccogliere i benefici dei significativi guadagni della DRAM 1β, che sbloccheranno l’innovazione mobile della nuova generazione e le esperienze avanzate degli smartphone – il tutto consumando meno energia. Con la velocità e la densità dell’1β, i casi d’uso ad alta larghezza di banda diventeranno più reattivi e fluidi durante i download, i lanci e l’uso simultaneo di applicazioni 5G e di intelligenza artificiale (IA) ad alto consumo di dati. Inoltre, LPDDR5X a base 1β non solo miglioreranno l’avvio della fotocamera dello smartphone, la modalità notturna e la modalità ritratto con velocità e nitidezza, ma consentiranno la registrazione di video 84K ad alta risoluzione senza tremolii e il video editing intuitivo nel telefono.

Il basso consumo di energia per bit della tecnologia di processo 1β offre la tecnologia di memorizzazione più efficiente sul mercato degli smartphone. Ciò consente ai produttori di smartphone di progettare dispositivi con una durata della batteria più efficiente, un aspetto cruciale in quanto i consumatori cercano di prolungare la batteria mentre utilizzano applicazioni che consumano molta energia e che richiedono un utilizzo intensivo di dati.

I risparmi energetici sono consentiti anche dall’implementazione delle nuove tecniche base Joint Electron Device Engineering Council di miglioramento della tensione dinamica e delle estensioni della scala di frequenza (eDVFSC) su questo LPDDR5X a base 1β. L’aggiunta di eDVFSC a un livello di frequenza raddoppiato, fino a 3.200 megabit al secondo(2), consente di migliorare i controlli di risparmio energetico per un uso più efficiente dell’energia in base ai modelli unici degli utenti finali.

Micron sfida le leggi della fisica con la litografia sofisticata e la nanofabbricazione

Il nodo 1β di Micron, all’avanguardia nel settore, consente di ottenere una maggiore capacità di memoria in un ingombro ridotto, con un costo inferiore per bit di dati. La scalabilità delle DRAM è stata in gran parte definita dalla capacità di fornire più memoria e più velocemente per millimetro quadrato di area del semiconduttore, il che richiede la riduzione dei circuiti per inserire miliardi di celle di memoria in un chip delle dimensioni di un’unghia. Con ogni nodo di processo, l’industria dei semiconduttori ha ridotto i dispositivi ogni anno o due per decenni; tuttavia, poiché i chip sono diventati più piccoli, la definizione dei modelli di circuito sui wafer richiede di sfidare le leggi della fisica.

Mentre l’industria ha iniziato a passare a un nuovo strumento che utilizza la luce ultravioletta estrema per superare queste sfide tecniche, Micron ha sfruttato le sue comprovate capacità di nanofabbricazione e litografia di ultima generazione per aggirare questa tecnologia ancora emergente. Ciò comporta l’applicazione delle tecniche proprietarie e avanzate di multi-pattern e delle capacità di immersione dell’azienda per modellare queste minuscole caratteristiche con la massima precisione. La maggiore capacità offerta da questa riduzione consentirà anche ai dispositivi con fattori di forma ridotti, come gli smartphone e i dispositivi IoT, di inserire più memoria in spazi compatti.

Per ottenere un vantaggio competitivo con 1β e 1α, negli ultimi anni Micron ha anche avanzato in modo aggressivo l’eccellenza produttiva, le capacità ingegneristiche e la ricerca e sviluppo pionieristica. Questa accelerazione dell’innovazione ha permesso a Micron di avviare il suo nodo 1α con un anno di anticipo rispetto alla concorrenza, stabilendo così la leadership di Micron sia nella DRAM che nella NAND per la prima volta nella storia dell’azienda (3). Nel corso degli anni, Micron ha investito miliardi di dollari per trasformare le sue fabbriche in strutture all’avanguardia, altamente automatizzate, sostenibili e guidate dall’intelligenza artificiale. Ciò include investimenti nello stabilimento Micron basato a Hiroshima, Giappone, che produrrà DRAM in serie il 1° gennaio.

1-beta pone basi onnipresenti per un mondo più interconnesso e sostenibile

Con l’affermarsi di casi d’uso a basso consumo energetico, come le comunicazioni machine-to-machine, l’intelligenza artificiale e l’apprendimento automatico, le tecnologie ad alta efficienza energetica sono un’esigenza sempre più cruciale per le aziende, in particolare per quelle che vogliono raggiungere obiettivi di sostenibilità rigorosi e ridurre le spese operative. I ricercatori hanno scoperto che l’addestramento di un singolo modello di intelligenza artificiale può emettere cinque volte le emissioni di carbonio rispetto a un’auto americana nel corso della sua vita, compresa la sua produzione. Inoltre, si prevede che le tecnologie dell’informazione e della comunicazione utilizzeranno il 20% dell’elettricità mondiale entro il 2030.

Il nodo DRAM 1β di Micron fornisce una base versatile per alimentare i progressi di un mondo connesso che ha bisogno di una memoria veloce, onnipresente ed efficiente dal punto di vista energetico per alimentare la digitalizzazione, l’ottimizzazione e l’automazione. La memoria ad alta densità e basso consumo prodotta su 1β consente un flusso di dati più efficiente dal punto di vista energetico tra gli oggetti, i sistemi e le applicazioni intelligenti e affamati di dati e una maggiore intelligenza dall’edge al cloud. Nel corso del prossimo anno, l’azienda inizierà a portare il resto del suo portafoglio su 1β nei segmenti embedded, data center, client, consumer, industriale e automotive, includendo memorie grafiche, memorie ad alta larghezza di banda e altro ancora.

1: Rispetto alla precedente generazione di 1-alfa
2: Rispetto ai 1600 megabit al secondo abilitati dal DVFSC per 1-alfa
3: A seguito della spedizione in volumi di Micron della sua NAND a 176 strati, leader del settore, nel novembre 2020